TSMC z delujočimi primerki 28 nm čipov

TSMC pripravlja tri različne tehnike 28 nm-proizvodnega procesa, na vseh treh pa jim je že uspelo izdelati delujočo 64 Mbitno SRAM celico. Ker je en bit informacije zapisan v štiri tranzistorje, to pomeni približno 260 milijonov tranzistorjev za celico, a se zaradi preproste zasnove ne more primerjati z izdelavo kompleksnejših čipov. Izmed treh procesov sta dva namenjena čipom z majhno porabo, eden pa visoki zmogljivosti. Slednji, namenjen za centralne in grafične procesorje, vezna čipovja in podobne čipe, naj bi v proizvodnjo, ki bo še bolj tvegane narave (majhni izkoristki, podobno kot pri AMDjevem grafičnem jedru RV740 za Radeon HD 4770), prišel do konca druge četrtine prihodnje leto.

V proizvodnjo bo najprej stopil proces, namenjen ročnim napravam (mobilni telefoni, MP3 predvajalniki), ki bo izdelan v dokaj standardnem načinu s pomočjo silicijevega oksinitrida (SiON). Zaradi relativno preproste izdelave bo primeren za hitro in ugodno izdelavo, če se bo izdelku mudilo na trg. Prvi primerki rizične proizvodnje naj bi se pokazali že v prvi četrtini leta 2010.

Pri drugem in varčnejšem 28 nanometerskem proizvodnem procesu bodo uporabili High-K tranzistorje, ki bodo poleg varčnosti ponujali tudi več zmogljivosti. Posledično bodo zanimivi za zmogljivejše naprave, kot so pametni mobilniki, smartbooki in morda netbooki, a bodo prvi čipi izdelani šele v tretji četrtini leta 2010.