Samsung povečal kapaciteto NAND flash čipa na 32 GiB

Poleg na Slo-Techu že predstavljenega PRAMa je Samsung povečal še kapaciteto NAND flash pomnilniških čipov. 32 gibibajtni produkt je narejen s 40 nm tehnologijo (trenutno najmanjša v polprevodniški industriji) in vsebuje novejšo t.i. Charge Trap Flash arhitekturo, ki zavzema le petino velikosti dosedanje Floating Gate. Zaenkrat je moč tako narediti do 64 GiB veliko Compact Flash kartico, z izboljšavami in prehodi na 30 in 20 nm tehnološki proces pa načrtujejo še dodatno povečanje kapacitet. Nekaj tehničnih podatkov najdete na strani EE Times.