Kitajci naredili korak proti hitrejšim SSD-jem

V najnovejši številki revije Nature raziskovalci z Univerze Fudan na Kitajskem poročajo o odkritju novega koncepta shranjevanje podatkov v polprevodniškem pomnilniku, ki omogoča hitrejši bistveno zapis podatkov. Pokazali so, da je z uporabo dvorazsežnega Diracovega grafena možno med stanji preklapljati v 400 pikosekundah, kar je več tisočkrat hitreje od konvencionalnih SSD-jev.

Netrajni pomnilnik, torej DRAM ali SRAM, je bistveno hitrejši od trajnih pomnilnikov (flash). Prvi lahko podatke v celice zapisujejo v nekaj nanosekundah, medtem ko flash potrebuje več sto mikrosekud do milisekund. To predstavlja ozko grlo pri uporabi, kjer potrebujemo velikanske prenose podatkov, denimo pri obdelavi podatkov z umetno inteligenco. Že praktično od pojava modernih računalnikov ostaja sveti gral pomnilnik, ki bi združil hitrost dinamičnega pomnilnika in trajnost zapisa na diske, saj bi lahko popolnoma predrugačil arhitekturo računalnikov.

Do tja je še zelo daleč in tudi najnovejše kitajsko odkritje je le droben korak v smer hitrejših skladišč podatkov. A vendarle, namesto silicijevih kanalov uporablja grafenske, ki imajo nekatere posebne lastnosti, denimo strukturo elektronskih pasov stožčaste oblike. Preizkusi obrabe so pokazali, da lahko novi tip shranjevanja podatkov izvede 5,5 milijona ciklov brez degradacije. Praktična izvedba je trenutno na nivoju laboratorijskih poizkusov (TRL3-4), za kakršnokoli praktično uporabo pa bodo morali najprej zmanjšati velikost kanalov.