Hynix in Toshiba razvijata naslednjo generacijo pomnilnika MRAM

Hynix in Toshiba sta napovedala, da bosta sodelovala pri razvoju pomnilnika MRAM, ki naj bi v prihodnjih letih postal zamenjava za vse vrste medijev za shranjevanje podatkov (trdih diskov, SSD-jev, RAM-a itd.), če gre verjeti njegovim zagovornikom. Ko bo izdelek razvit, nameravata Hynix in Toshiba skupaj stopiti tudi pri proizvodnji, trženju in prodaji. To ni presenetljivo, saj ima Hynix ogromno izkušenj in znanja pri proizvodnji pomnilnika, Toshiba pa se med drugim ukvarja s trdimi diski in SSD-ji.

MRAM je kratica za magnetnorezistivni pomnilnik (magnetoresistive random access memory), ki se je začel razvijati ob koncu tisočletja. Za razliko od klasičnega RAM-a se tod podatki shranjujejo v magnetni obliki. Dve feromagnetni plošči, od katerih je ena stalni magneti, sta ločeni s tanko plastjo izolatorja. Magnetizacijo druge plošče lahko spreminjamo tako, da jo izpostavimo zunanjemu magnetnemu polju ali jo spremenimo neposredno z elektroni z usmerjenim spinom. Podatke nato beremo tako, da merimo upornost celice, ki je zaradi magnetne upornosti odvisna od stanj obeh feromagnetnih plošč. MRAM drži podatke tudi brez napajanja, hkrati pa omogoča izjemno visoke hitrosti branja in pisanja, tako da bi lahko zamenjal tako pomnilni kot medije za trajno shranjevanje podatkov.