Samsung z 'DDR' flash pomnilnikom

Samsung se je pohvalil z dokaj velikim prebojem na področju NAND flash pomnilniških čipov, ki so dandanes vedno bolj popularni zaradi uporabe v SSD pogonih, mobilnih telefonih in pomnilniških karticah. Sploh pri cenovno ugodnejših SSD pogonih pogosto nekoliko trpi hitrost zapisovanja podatkov, čeprav je ta večinoma še vedno vsaj tako visoka, če ne višja, kot pri klasičnih, mehanskih trdih diskih. Hitrost zapisovanja se seveda lahko reši z uporabo SLC pomnilnika (v eno celico se zapiše le en bit), a je ta tako pregrešno drag, da je za običajnega uporabnika praktično nepomemben.

Edina rešitev je tako razvoj MLC pomnilniških čipov, ki v eno celico shranijo več bitov hkrati. Samsungov preboj pravzaprav že poznamo s področja delovnega pomnilnika, kjer je prinesel dvakrat višje hitrosti prenosov v obliki DDR pomnilnika. Tudi tukaj gre za enak princip, kjer podatke lahko zapisujemo (oz. beremo) pri dviganju in spuščanju frekvence, namesto le pri dviganju, kot je mogoče pri obstoječih pomnilniških čipih oz. predhodnikih DDR pomnilnika. Dvig hitrosti pa v tem primeru ni le dvakraten, saj Samsung trdi, da novi čipi zmorejo podatke zapisovati s 133 megabiti na sekundo, medtem ko SDR flash pomnilnik to zmore pri le 40 megabitih na sekundo, zahvaljujoč asinhroni povezavi, medtem ko poraba energije ostane popolnoma enaka. Čipe, izdelane v 30 in 34 nm postopku, so začeli pošiljati že v novembru, namenjeni pa so za SSD pogone, pomnilniške kartice SD, mobilne telefone, MP3 predvajalnike in vse ostale aplikacije, kjer se uporablja flash pomnilnik.