IBM in Global Foundries govorita o 22 nm, Toshiba s prebojem na 16 nm

Tehnološka partnerja IBM in bivši AMDjev proizvodni del, Global Foundries, sta predstavila materiale in tehnologije, ki bodo potrebni za prehod na 22 nm proizvodni proces. Na simpoziju v japonskem Kyotu je Global Foundries prikazal način, kako EOT* debelino High-K metal tranzistorjev zmanjšati na raven, ki bo zadoščala ne le za 22 nm proizvodni proces, temveč tudi za kasnejše procese. Nova tehnologija bo nadvse primerna za mobilne in prenosne naprave, saj ne pričakujejo težav z uhajanjem toka, ki dvigne porabo čipa, obenem pa bodo lahko uporabljali še nižje napetosti, kar bo porabo še dodatno znižalo.

Napovedi, da se bo Mooreov zakon končal že pri 22 nm, očitno niso prispele na japonsko v tovarne Toshibe, saj se pripravljajo na morebitno proizvodnjo 16 nm tranzistorjev. To bodo dosegli z vnovično vrnitvijo germanija v svet mikroprocesorjev. Slednji je bil že nekaj časa tihi naslednik silicija, kateremu se izteka življenjska doba zaradi hitrega doseganja fizičnih omejitev. Preboj, ki ga bodo predstavili na istem simpoziju v Kyotu, so dosegli z uporabo plasti stroncijevega germanida med High-K metal izolatorjem in vrati, izdelanimi iz germanijevega oksida. Ta plast bo omogočila EOT debelino 0,5 nm, ki je zahteva za 16 nm proizvodni proces.

*(pove, kako debel bi moral biti enak tranzistor iz silicijevega oksida, da bi dal enak učinek kot High-K metal tranzistor)