Power Over Kloker- IBM...

IBM je v sodelovanju z Georgia University predstavil prve tranzistorje na Si-Ge, ki delujejo pri sobni temperaturi na 350 GHz, ohlajeni na 4.5K pa pridejo do 500 GHz !

Demonstracijsko vezje s testnim tranzistorjem, kot sem uspel razumeti iz novičke, ni nič posebnega, a to je le začetek, ki kaže na potenciale. Mimogrede, pri tej frekvenci je valovna dolžina signala največ 0,86 mm in to brez upoštevanja dielektričnih lastnosti Si-Ge, sicer verjetno še vsaj dvakrat manjša!

Proizvajalci pogosto uporabljajo enostavna testna vezja, s katerimi merijo frekvenčno karakteristiko tranzistorja. Te pri iskanju novih materialov in tehnik poskušajo "nafrizirati" na čim višje frekvence in rezultati jim dajejo dragocene podatke o lastnostih osnovnih gradnikov vezja v materialu-osnovi. IBM je že dolgo časa nazaj začel delati na Si-Ge kot zamenjavi za Ga-As, ki je bil opevan kot 10 krat hitrejši naslednik silicija, pa se ni prijel v široki uporabi zaradi drugih problemov, predvsem majhnih fan-outov, zaradi nizkih ojačanj tranzistorjev in nezdružljivosti obstoječih proizvodnih postopkov za silicij z rešitvami, ki jih zahteva Ga-As.
Si-Ge ima teh problemov manj, kljub temu pa je doslej videl le omejeno področje uporabe – npr. visokofrekvenčni ojačevalniki (=par tranzistorjev) za GSM in podobno.

Nova pridobitev pomeni kakovostnejše ojačevalnike in mešalnike signala za visoke frekvence (večje ojačanje, višji frekvenčni dosegi, manj šuma), boljše rešitve za npr. WiMax, ko bo na voljo in nekega dne mogoče celo kaj kompleksnejšega...

Več o tem: EETimes.