AMD z Z-RAM tehnologijo do večjih procesorskih predpomnilnikov

AMD je podpisal pogodbo s podjetjem Innovative Silicon Inc., ki je razvila pomnilnik brez kondenzatorjev (Z-RAM; zero-capacitor memory). Z-RAM tehnologija omogoča petkrat večjo gostoto zapisa v primerjavi s SRAM tehnologijo in dvakrat večjo v primerjavi z DDR pomnilniki. Glede na to, da AMD v svojih procesorskih predpomnilnikih uporablja SRAM, lahko povečajo količino predpomnilnikov za faktor 5, ne da bi pri tem morali povečati tudi velikost jedra. Poleg večje količine predpomnilnikov in posledično izboljšanja zmogljivosti (predvsem pri večnitnih opravilih) je prednost Z-RAMa tudi v zmanjšani porabi energije I/O procesov in manjših stroških izdelave pomnilnikov.

Z-RAM tehnologija je osnovana na DRAMu, pri čemer zaradi implementiranega floating body učinka za svoje delovanje ne potrebuje kondenzatorjev. Dodatno prednost za AMD predstavlja dejstvo, da Z-RAM tehnologija zahteva uporabo procesov 'silicij na izolatorju' (SOI), na katere je AMD-jeva proizvodnja prešla že več kot leto nazaj.

Podjetje Innovative Silicon (IS) je že izdelalo primerke Z-RAMa na ravni proizvodnega procesa 100 nm, do leta 2012 pa pričakujejo izdelavo pomnilnikov na ravni 40 nm - roadmap. Iz spletne strani podjetja IS si lahko tudi prenesete white paper o Z-RAM tehnologiji in neodvisno poročilo o analizi Z-RAMa.

Novici na X-bit labs in Daily tech.

Očitno bo AMD Intelu iz rok izpulil še zadnjega aduta... ;)