Upanje za Moorov zakon

65-nanometrska tehnologija je že omogočila Intelu, da so naredili 4 megabajtni SRAM (Static Random Access Memory - hitrejši in bolj zanesljivi pomnilnik v primerjavi z DynamicRAM-om ) s površino celice le 0,57 mikrona² in s tem zopet ujeli korak z Moorovim zakonom. Prvi 65-nm procesi se bodo začeli uporabljati leta 2005, 45-nanometrski pa dve leti kasneje.

Sedajsnji 90-nm Prescotti so bili na primer "odkriti" že pred dvema letoma in imeli površino celice 1 kvadratni mikron, pri tako majhnih procesih, pa se pojavlja vedno več težav predvsem s puščajocimi električnimi tokovi, kar se odraža tudi v večji porabi električne energije (glede na tehnologijo izdelave) in s tem večjih izgubah. ITNews.