0.10 mikronski pomnilniki še letos

Izdelovalec pomnilnikov, podjetje Hynix Semiconductor, je danes potrdilo, da so razvili 512 Mb DDR SDRAM čipe, zgrajene v 0.10 mikronski tehnologiji. Uporabljali jih bodo pri izdelavi PC2100, PC2700 ter DDR400 pomnilnikov. Masovna proizvodnja 512 MB modulov se bo pričela še letos, 256 MB ter gigabajtne module pa bodo začeli proizvajati v prvi polovici prihodnjega leta. Ostale informacije ter originalna novica na tem naslovu.